在2019中國國際智能產業博覽會上，紫光集團首次公開展示了長江存儲64層NAND Flash Wafer。
一直以來，中國在NAND上一直被外商壟斷，這使得外商能夠輕易操縱NAND價格。在Note7接連自燃之后，NAND Flash和DRAM的價格瘋漲，進而帶動了內存條和固態硬盤等商品價格暴漲，出現這種情況的原因，就在于在存儲芯片上，三星、SK海力士、東芝/貝恩資本、閃迪/西部數據、鎂光等大廠壟斷了市場。
隨著大數據、云計算時代的到來，人類生產生活所產生的數據以幾何倍數增長，這預示著數據的大爆發，對高速、大容量等數據存儲也提出了更高的要求。而固態硬盤淘汰機械硬盤已經是大勢所趨，如果在NAND上中國始終依賴三星等唯利是圖的外商，那么，不僅使中國產業安全無法得到保障，還會使國內企業必須花大價錢買國外存儲芯片。
本次紫光64層NAND亮相則是中國NAND Flash技術突破的階段性勝利。此前，紫光已經完成了32層NAND的小批量量產，只不過由于技術相對落后，成本偏高，幾乎是產的越多，虧的越多，因而只是小批量量產，這些NAND主要用在U盤、SD卡等產品上。紫光此前與合作伙伴共同推出的SSD，是英特爾的NAND+紫光模組+臺系SSD主控。NAND并非長江存儲產的NAND。
而本次的64層NAND，采用了Xtacking架構。根據紫光的宣傳，長江存儲還搞出的Xtacking架構可在一片晶圓上獨立加工負責數據I/O及記憶單元操作的外圍電路。這樣的加工方式有利于選擇合適的先進邏輯工藝，以讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存儲單元同樣也將在另一片晶圓上被獨立加工。當兩片晶圓各自完工后，創新的XtackingTM技術只需一個處理步驟就可通過數百萬根金屬垂直互聯通道將二者鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。
長江存儲CEO楊士寧博士指出：“目前，世界上最快的3D NAND I/O速度的目標值是1.4Gbps，而大多數NAND供應商僅能供應1.0 Gbps或更低的速度。利用XtackingTM技術我們有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps，與DRAM DDR4的I/O速度相當。這對NAND行業來講將是顛覆性的。”
還有材料指出：
紫光的64層的3D NAND得益于Xtacking技術，使得產品開發時間縮短三個月，生產周期可縮短20%，NAND I/O速度大幅提升到3.0Gbps，比傳統3D NAND擁有更高的存儲密度。這使得紫光的64層的3D NAND性能可以接近國際大廠的96層3D NAND。
因此，紫光的64層NAND是具備一定市場競爭力的技術。根據長江存儲的規劃，64層NAND計劃年底正式量產，2020年逐步提升產能，年底產能可望提升至月產6萬片晶圓的規模。之后，紫光會跳過96層NAND，直接研發128層NAND。
由于紫光體量巨大，產品線很全，不僅有NAND，還有PCIe NVMe SSD主控芯片，還有H3C這樣的整機廠，內部可以進行垂直整合。據稱，在2020年長江存儲的64層NAND產能提升上來后，紫光麾下H3C的服務器、存儲設備、智能終端將率先搭載長江存儲的NAND，將來不排除向智能手機廠商組團推銷展銳的SoC和長江存儲NAND的可能性。
在看到成績的同時，我們也應當看到不足，那就是紫光64層NAND只是階段性勝利，和三星、SK海力士等廠商在技術上和市場份額上有很大差距。而且長江存儲在原材料、設備等方面對外商有較大依賴，在實現不被卡脖子方面任重道遠。
鐵流期待在3至5年后，國人日常辦公寫的文稿，外出旅游的拍的照片，能夠存儲在國產的NAND里。
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